报道称，三星正努力在2026年前推出创纪录的400层垂直NAND闪存芯片。
《韩国经济日报》的一份报告称，三星的设备解决方案部门旨在通过其尖端的V10 NAND推进NAND闪存市场，旨在满足人工智能数据中心激增的需求。
报告中概述了该公司的内存路线图，展示了先进的第10代NAND的计划，该计划将利用键合技术在不同的晶圆上单独构建存储单元和外围电路，然后将它们融合到一个芯片中。这种新方法被称为键合垂直NANDFlash（BV NAND），可以最大限度地减少热量积累，最大限度地提高容量和性能，创造三星所说的“人工智能的梦想NAND”
到2030年达到1000层
BV NAND设计将单位面积的比特密度提高了1.6倍，支持非常适合AI应用的超高容量固态驱动器（SSD）。
三星目前的286层V9与非门芯片标志着一个重要的里程碑，但400层V10预计将重新定义容量限制，有可能打破超大人工智能超大规模固态硬盘的200TB存储门槛，同时提高能效。
对于未来的版本，全球最大的内存芯片制造商计划在2027年推出第11代V11 NAND，数据搬迁速度提高50%，进一步优化性能以满足高需求的数据存储需求。
KED报告称，三星雄心勃勃的与非门路线图延伸得更远，计划到2030年芯片层超过1000层。这一进步旨在让三星保持在大容量与非门市场的前沿，人工智能应用刺激了该市场的需求，这些应用需要广泛的存储解决方案来处理大量数据。
